ОЗУ в ПЛИС
Для реализации в ПЛИС модулей ОЗУ предусмотрено две возможности. Первую возможность предоставляет каждая ЛТ, которая может быть сконфигурирована как 16-битовое синхронное ОЗУ. Две соседних ЛТ могут быть сконфигурированы как 16-битовое двухпортовое ОЗУ с записью и чтением по одному адресу и чтением по другому адресу, как показано на рис. При этом для реализации синхронного режима записи входной бит данного, сигнал записи и адрес запоминаются в триггерах - защелках, а для чтения по второму адресу из блока второй ЛТ используется только мультиплексор чтения.
Для наращивания емкости памяти выходы нескольких КЛБ с модулями ОЗУ через тристабильные буферы подключаются к общим шинам. При этом требуется дополнительное оборудование только для построения схемы дешифрации адреса, которая выдает сигналы выборки той или иной ЛТ для записи, а также того или другого тристабильного буфера для чтения. Такое ОЗУ распределено по площади кристалла и поэтому названо Distributed RAM.
Если ЛТ запрограммировать как примитив SRL16, то из ее триггеров будет реализован 16-разрядный сдвиговый регистр с однобитовым входом и программируемым номером выходного разряда, т.е. память FIFO регулируемой длины.
Вторую возможность предоставляют отдельные блоки памяти BlockRAM. В ПЛИС серии Virtex они могут быть сконфигурированы как ОЗУ объемом 256 16-разрядных слов, 512 8-разрядных слов, и т.д. Эта память может быть запрограммирована как однопортовая или как полностью двухпортовая память. Начальное состояние этой памяти задается при ее конфигурировании, поэтому она может быть использована также как ПЗУ.
